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耗散因数测量的切线损耗角(TAN),以百分比表示。测量DF 是开展测量桥梁供应一个0.5V RMS120Hz 的正弦信号,免费谐波与偏见2.2Vdc. DF 值是温度和频率依赖性。注意:对于表面贴装产品所允许的最大DF 值表示的收视率表是很重要请注意,这些限额会见了由组件后基板上焊接。

随着频率的增加损耗因数所示钽和OxiCap 庐电容器的典型曲线相同的AVX 钽电容的阻抗(Z)。

这是电流电压的比值,在指定的频率。三个因素促成了钽电容器的阻抗;半导体层的电阻电容价值和电极和引线电感。在高频率导致的电感成为一个限制因素。温度和频率的行为确定这三个因素的阻抗行为阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.

阻力损失发生在一切可行的形式电容器。这些都是由几种不同的机制,包括电阻元件和触点,

粘性势力内介质和生产旁路的缺陷电流路径。为了表达对他们的这些损失的影响视为电容的ESR. ESR 的频率依赖性和可利用的关系;ESR=谭δ2πfC 其中F 是赫兹的频率,C 是电容法拉。ESR 是在25 ° C 和100kHz 的测量。ESR 是阻抗的因素之一,在高频率(100kHz和以上)就变成了主导因素。从而ESR 和阻抗几乎成了相同,阻抗仅小幅走高。

ESR 和阻抗都随频率的增加。在较低频率值作为额外的贡献分歧阻抗(由于电容器的电抗)变得更加重要。除了1MHz 的(和超越电容的谐振点)阻抗再次增加由于电感,电容的。

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典型ESR 和阻抗值是类似的钽,铌氧化物材料,从而在相同的图表都有效钽电容和OxiCap电容器。

AVX 代理谈钽电容的阻抗与温度的关系和ESR.在100kHz,阻抗和ESR 的行为相同,随着温度的升高下降的典型曲线

AVX 钽电容能承受的电压和电流浪涌能力是有限的,这是基于所有电解电容的共同属性,一个值够高的电应力会穿过电介质,从而破坏了介质。例如一个6 伏的钽电容在额定电压运行时,有一个167 千伏/毫米电压的电场。因此一定要确保整个电容器终端的电压的决不会超过规定的浪涌电压评级。作为钽电容负极板层使用的半导体二氧化锰有自愈能力。

然而,这种低阻是有限的。在低阻抗电路的情况下,电容器可能被浪涌电流击穿。降压的电容,增加了元件的可靠性。额定电压使用上常见的电压轨迹,低阻抗钽电容在电路进行快速充电或放电时,保护电阻建议为1Ω/ V.如果达不到此要求应使用钽电容器降压系数高达70%.在这种情况下,可能需要更高的电压比作为一个单一的电容。 A 系列组合应被用来增加工作电压的等效电容器:

例如,两个22μF25V 系列部分相当于一个11μF50V 的一部分。

是指电容在很短的时间经过最小的串联电阻的电路33Ohms(CECC 国家1KΩ)能承受的最高电压。浪涌电压,常温下一个小时时间内可达到高达10 倍额度电压并高达30 秒的时间。浪涌电压只作为参考参数,不能用作电路设计的依据,在正常运行过程中,电容应定期充电和放电。

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